本成果为国内外首创，在国际上首创了基于金属有机化合物化学气相淀（MOCVD）技术的新型多级高/低温的磷化铟/铟铝砷缓冲层生长、高/低温应变层的复合缓冲层生长等关键技术，解决了异质结材料之间大晶格失配引起的位错多、缺陷多的国际难题，Intel公司副总Mike Mayberry认为该技术对硅基/III-V族异质集成电路的大模工业化具有非常重要的意义。研制成功栅长150nm毫米波器件砷化镓基高电子迁移率晶体管（GaAs HEMT），其截止频率大于279GHz，为同期国际最高纪录。项目组获授权知识产权64项其中发明专利授权36项。该成果填补了国产高分辨率辨率系列卫星军品的空白，促进了国防信息化建设，契合了国防信息化改造的要求，累积在高分辨率应用方面实现产品销售共1.557亿元。同时，该项目技术也已扩展进入其它军事领域，如雷达传输网络、技侦、测控、卫星通信等建设及改造等，并带来非常可观的效益。在军转民方面，毫米波器件与芯片成果正在逐步向5G民用市场快速扩展，培育出中电科58所武汉分公司等客户，近三年实现产品销售1058.0万元。目前正在与华为等民族企业在5G毫米波、WiFi6通信应用中开展紧密的技术与产品合作。在半导体芯片技术方面，成功地开发了100余项微波固态电子器件与芯片工艺，并达到了国内先进水平，已为20余家服务单位提供了国际一流的技术支撑服务，为服务客户节省了巨额的国外咨询费、培训费等。在工程型人才培养方面，本项目针对毫米波芯片与应用产品研发、产业化的需求，积极定期开设专业培训、工程硕士课程，累积课时达1200课时，已为用人单位培养所需关键人才约100人。